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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorBrito, José-
dc.contributor.authorBrito, Felipe-
dc.contributor.authorBrito, Moshe-
dc.date.accessioned2021-02-08T22:37:27Z-
dc.date.available2021-02-08T22:37:27Z-
dc.date.issued2019-06-06-
dc.identifier.citationBrito, J., Brito, F., & Brito, M. (2019). Inspección no destructiva de vacíos en MOSFET de Potencia. NOVASINERGIA, ISSN 2631-2654, 2(1), 41–49. https://doi.org/10.37135/unach.ns.001.03.05es_ES
dc.identifier.issn2631-2654-
dc.identifier.otherDOI: https://doi.org/10.37135/unach.ns.001.03.05-
dc.identifier.urihttp://dspace.unach.edu.ec/handle/51000/7358-
dc.descriptionVoids can affect the normal function on Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET’s) if they are over 25% of the total area, this being animportant feature in the quality control of voids on the manufacturing process. The ex-perimental method was employed using the Scanning Electron Microscopy with EnergyDispersive Spectroscopy (SEM-EDS) and microtomography techniques. The scanningelectron microscopy with energy dispersive spectroscopy method permitted the quan-tification of the chemical and physical characteristics of the solder layer in each device.The microtomography method has been employed as a Non-Destructive Inspection(NDI) method on Power MOSFET’s to quantify the voids. The research methodologypermitted the quantification of the voids with the aim of inspecting the manufacturingimperfections which can influence the performance of the device. The object-orientedprogramming was developed using LabView software which allowed improving thevoids detection from an image with distortion, quantifying microvoids and macrovoids,locating in the solder layer using the voiding mass center and obtaining the statisticresult. The results of analyzing voids demonstrated that the technique and the method-ologies employed for this type of defect detection in Power MOSFET’s could representa suitable NDI tool for quality control.es_ES
dc.description.abstractLos vacíos pueden afectar la función normal de los transistores de efecto de campo Metal-Oxide-Semiconductor (MOSFET) si son más del 25 % del área total, siendo esta una característica importante en el control de calidad de los vacíos en el proceso de fabricación. El método experimental se empleó utilizando la microscopía electrónica de barrido con espectroscopia de dispersión de energía (SEM-EDS) y la técnica de microtomografía. El método de microscopía electrónica de barrido con espectroscopia dedispersión de energía permitió la cuantificación de las características químicas y físicas de la capa de soldadura en cada dispositivo. El método de microtomografía se ha utilizado como método de inspección no destructiva (NDI) en los MOSFET de potencia para cuantificar los huecos. La metodología de investigación permitió la cuantificación de los vacíos con el objetivo de inspeccionar las imperfecciones de fabricación que influyen en el rendimiento del dispositivo. La programación orientada a objetos se desarolló utilizando el software LabView que permite mejorar la detección de huecos desde una imagen con distorsión, cuantificar microvoides y macrovoides, la ubicación en la capa de soldadura utilizando el centro de masa de vaciado y su resultado estadístico. Los resultados del análisis de vacíos demostraron que la técnica y los métodos utilizados para este tipo de detección de defectos en Power MOSFET podrían representar una herramienta NDI adecuada para el control de calidad.es_ES
dc.description.sponsorshipUNACH, Ecuador.es_ES
dc.format.extent40 - 48es_ES
dc.language.isoenes_ES
dc.publisherRiobamba: Universidad Nacional de Chimborazoes_ES
dc.relation.ispartofseriesNOVASINERGIA, 2019;Vol. 2, No. 1, diciembre-mayo (40-48)-
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/ec/es_ES
dc.subjectPower MOSFET’ses_ES
dc.subjectQuality Controles_ES
dc.subjectSoftwarees_ES
dc.subjectTomographyes_ES
dc.subjectVoidses_ES
dc.titleNon-destructive Inspection of Voids on Power MOSFET’ses_ES
dc.title.alternativeInspección no destructiva de vacíos en MOSFET de Potenciaes_ES
dc.typeArtículoes_ES
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